15:15 〜 15:30 △ [10p-Z04-9] HfSiOxゲート AlGaN/GaN MOS-HEMTのゲート制御性 〇越智 亮太1、前田 瑛里香2,3、生田目 俊秀2、塩崎 宏司4、橋詰 保1,4 (1.北大量集センター、2.物材機構、3.芝浦工大、4.名大IMaSS)