14:30 〜 14:45 [11p-Z02-7] MBEによるAlN/h-BNバッファ層上GaN薄膜のエピタキシャル成長 〇原田 文矢1、中澤 日出樹1、岡本 浩1、廣木 正伸2、熊倉 一英2、小林 康之1 (1.弘前大、2.日本電信電話(株)NTT物性基礎研)