10:45 〜 11:00 △ [8a-Z14-10] 高累積線量におけるMOSFETのゲートバイアス特性比較 〇吉田 僚一郎1、木村 有佐1、安藤 幹1、大島 佑太1、鍋屋 信介1、平川 顕二1、岩瀬 正幸1、小笠原 宗博1、依田 孝1、石原 昇1、伊藤 浩之1 (1.東工大)