18:30 〜 18:45 [10p-Z02-20] 中温成長GaN ピット形成層上のInGaN 単一量子井戸構造におけるポテンシャル障壁評価 〇倉井 聡1、高 俊吉1、槇尾 凌我1、林 直矢1、湯浅 翔太1、岡田 成仁1、只友 一行1、山田 陽一1 (1.山口大院創成科学)