[10a-Z02-1~9] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [10a-Z02-8] GaN:C 半絶縁層を用いた圧電駆動GaNカンチレバーの共振特性

〇山田 剛大¹、安藤 悠人¹、渡邉 浩崇²、古澤 優太²、出来 真斗^1,5、田中 敦之^2,3、新田 州吾²、本田 善央²、須田 淳^1,2、天野 浩^2,3,4,5 (1.名大院工、2.名大未来研、3.物質・材料研究機構、4.名大ARC、5.名大VBL)

キーワード：PEC エッチング, カンチレバー, 半絶縁層

GaN MEMS (Micro-Electro-Mechanical-System)は宇宙空間や高温、高圧等の厳環境への応
用が期待されている。基板、構造層ともにGaN 単結晶で構成されたGaN 単結晶MEMS デバイスを作製することで、GaN の物性を最大限に生かし、将来的に厳環境でも動作可能なMEMS デバイスの実現が期待できる。以前の発表でPEC(Photo-Electro-Chemical)エッチングを用いて、GaN 基板上に成長させたInGaN を選択的にエッチングすることで、GaN 単結晶カンチレバーが作製可能であると報告した。本研究では、作製したカンチレバーの共振特性について報告する。