[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10p-Z04-15] 陽電子消滅によるGaN基板上に成膜したTEOS-SiO₂膜の空隙の検出

〇上殿 明良¹、上野 航¹、細井 卓治²、Egger Werner³、Hugenschmidt Christoph³、Dickmann Marcel⁴、渡部 平司² (1.筑波大数物、2.阪大院工、3.UniBwM、4.TUM)

キーワード：GaN, SiO2, 欠陥

陽電子消滅は，固体の空孔型欠陥や空隙を感度良く検出できる非破壊検査法である．本手法を用いてSiO₂/GaN構造の空隙，空孔の評価を行った結果を報告する．GaN基板上に厚さ22 nmのTEOS-SiO₂膜をPECVDで形成した．成膜後，O₂あるいはN₂雰囲気中で焼鈍した．実験により1000℃，O₂焼鈍ではGaN基板に空孔型欠陥が導入されるが，N₂焼鈍ではこれが抑制されることがわかった．講演では，SiO₂の空隙の変化やその焼鈍特性，基板への欠陥導入との関係についても述べる．