上殿明良

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発表者・著者、共著者

2020年9月10日(木) 13:00 〜 17:30 Z04

一般セッション(口頭講演)
| 13 半導体
| 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[10p-Z04-1~17] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

16:45 〜 17:00

[10p-Z04-15] 陽電子消滅によるGaN基板上に成膜したTEOS-SiO₂膜の空隙の検出

〇上殿明良¹、上野航¹、細井卓治²、Egger Werner³、Hugenschmidt Christoph³、Dickmann Marcel⁴、渡部平司² (1.筑波大数物、2.阪大院工、3.UniBwM、4.TUM)