[11a-Z01-1~11] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

△ [11a-Z01-4] 鉄シリサイドナノドット含有 Fe3O4 薄膜メモリにおける 局所電界増強による抵抗変化比増大

〇石部 貴史¹、成瀬 延康²、目良 裕²、中村 芳明¹ (1.阪大院基礎工、2.滋賀医科大)

キーワード：鉄シリサイド, 抵抗変化メモリ, ナノドット

Si 基板上 Fe₃O₄膜は、Si プロセスとの高整合性、環境低負荷元素のみによる材料、構成といった利点を有するため、高い社会応用性が期待できる。これまで我々は、エピタキシャル Fe₃O₄膜/a-FeSi₂膜/Si 基板において高Off/On抵抗比 (~140)を実現してきた。しかし、実用化にはOff/On 抵抗比のさらなる増大が求められる。本研究では、Fe₃O₄膜中にa-FeSi₂ ナノドットを導入し、ND 近傍の電界強度を増強することで、Fe₃O₄膜中の酸素イオン制御性を高めて、Off/On 抵抗比を増大することを狙う。