09:15 〜 09:30 △ [11a-Z01-4] 鉄シリサイドナノドット含有 Fe3O4 薄膜メモリにおける 局所電界増強による抵抗変化比増大 〇石部 貴史1、成瀬 延康2、目良 裕2、中村 芳明1 (1.阪大院基礎工、2.滋賀医科大)