[11a-Z02-1~11] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11a-Z02-8] RF-MBE法によるScAlMgO₄基板上へのGaNエピタキシャル成長 Ⅱ

〇(M1)栢本 聖也¹、藤井 高志^1,2、福田 承生²、杉江 隆一³、毛利 真一郎¹、荒木 努¹ (1.立命館大理工、2.（株）福田結晶研、3.東レリサーチセンター)

キーワード：ScAlMgO4, 窒化ガリウム, RF-MBE

ScAlMgO4（SAM）はGaNとミスマッチ1.8%で熱膨張係数差も小さく、さらに無転位SAM結晶が得られたことから、窒化物半導体成長用基板として期待される。我々は、高真空下で低温成長が可能なRF-MBE法を用いて、有転位SAM基板上にGaN薄膜を成長し、成長条件の検討をおこなった。成長温度650℃にて、表面にドロップレットのない六方晶GaN薄膜が成長した。また、SIMSによるSAM基板からGaN膜中への構成元素拡散測定では明らかな拡散は確認されなかった。