[11a-Z04-1~9] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[11a-Z04-8] Mgイオン注入GaNに対する低温熱処理の効果における表面保護膜材料依存性

〇村井 駿太¹、呉 恩誠¹、赤澤 正道¹、加地 徹² (1.北大量集センター、2.名大未来材料・システム研)

キーワード：窒化ガリウム, イオン注入

GaNデバイス作製プロセスにおいて、イオン注入技術が期待され、特にp型領域を形成するにはMgイオン注入が有効な手段となる可能性が高いが、イオン注入による欠陥を制御する方法は確立されていない。本報告では、Mgイオン打ち込みを行ったGaNに対して、表面保護膜材料を変えて比較的低温での熱処理を行い、欠陥準位に対する影響について調べた。