[11p-Z02-1~19] 15.4 III-V族窒化物結晶

[11p-Z02-2] RF-MBE成長した高In組成GaInN/ GaInN多重量子井戸における障壁層のIn組成と周期数が発光特性へ及ぼす影響

〇(M2)吉田 涼介¹、比留川 大輝¹、大野 颯一朗¹、田原 開悟¹、山口 智広¹、尾沼 猛儀¹、本田 徹¹ (1.工学院大)

キーワード：窒化ガリウムインジウム, LED, 多重量子井戸

現在，µ-LEDディスプレイ応用への観点からGaInNを用いた赤色LEDの製作が求められている．しかし，高In組成GaInNは歪量子井戸におけるピエゾ電界の影響による発光効率の低下が問題となる．よって，GaInN下地層へのGaInN多重量子井戸(MQWs)のRF-MBE成長を提案してきた．しかしながら，MQWsでは格子緩和が発生していると予測されるため，発光特性への影響を評価する必要がある．よって本研究では，Ga_1-xIn_xN/Ga_1-yIn_yN(x>y) MQWsのRF-MBE成長を行い，障壁層のIn組成と周期数に着目し，それらが発光特性へ及ぼす影響を評価した．