[11p-Z04-1~14] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [11p-Z04-8] マルチスケール応力解析手法を用いたSiトレンチMOSFETのウエハ反り予測

〇伊藤 和幸¹、織田 達広¹、菊地 拓雄¹、北原 義之¹、藪原 秀彦¹、西口 俊史²、加藤 浩朗²、下村 紗矢²、西脇 達也² (1.東芝、2.東芝デバイス&ストレージ)

キーワード：パワー半導体, MOSFET, 反り