2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[11p-Z07-1~14] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2020年9月11日(金) 13:00 〜 16:45 Z07

島 久(産総研)、加藤 誠一(物質・材料研究機構)

15:00 〜 15:15

[11p-Z07-8] 室温熱エネルギーを活用した無電力シナプティックトランジスタ

神吉 輝夫1、村岡 敬太1 (1.阪大産研)

キーワード:二酸化バナジウム, プロトン拡散, 多値メモリ

生体脳は、情報処理とメモリが一体となった完全非ノイマン型演算システムである。ニューロンにはアナログメモリに相当するシナプスが無数にあり省エネルギーで記憶・学習をしている。本研究では熱エネルギーを利用した拡散とゲート電界によるチャネル侵入電界によるプロトン方向制御により無電力多値メモリトランジスタを作製し、低抵抗VO2 ⇔ 高抵抗HVO2の変化により160%にも及ぶスイッチと多値メモリ効果の両者を確認した。