[8a-Z02-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[8a-Z02-8] ab initio計算を用いたGaN MOVPE成長におけるＴＭＧa分解反応過程の探索

〇(M2)榊原 聡真¹、洗平 昌晃²、叶 正²、新田 州吾²、本田 善央^1,2、天野 浩^1,2、白石 賢二^1,2 (1.名大院工、2.名大未来研)

キーワード：MOVPE, ab initio計算

窒化ガリウム(GaN)の有機金属気相成長(MOVPE)法は青色発光ダイオードの作製等に用いられており、パワーデバイスや深紫外光デバイスへの応用に向け活発な研究がなされている。本研究では、第一原理計算と熱統計力学計算に基づいて、GaNのMOVPE中の原料であるGa（CH₃）₃（TMG）の分解反応を解析した。 分解反応に対して活性化エネルギーの温度依存性を計算することで、H₂がTMGの分解を促進し、NH₃がそれを抑制するメカニズムを明らかにした。