[8a-Z02-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[8a-Z02-9] Polarity Determination Using Electron Diffraction for −c/+c AlN Films Fabricated by Sputtering and High-Temperature Annealing

〇Yusuke Hayashi¹, Kento Nomoto¹, Takeaki Hamachi¹, Tetsuya Tohei¹, Hideto Miyake^2,3, Nobuyuki Ikarashi⁴, Akira Sakai¹ (1.Grad. Sch. Eng. Sci., Osaka Univ., 2.Grad. Sch. Eng., Mie Univ., 3.Grad. Sch. RIS, Mie Univ., 4.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:Polarity Inversion

AlNは~200 nmのバンド端波長、4.3 pm/Vの非線形光学定数d₃₃（λ = 1 μm）を有することから、紫外-可視-赤外の広帯域で動作する波長変換材料として有望である。当グループではAl金属ターゲット（Al-T）とAlN焼結体ターゲット（AlN-T）を併用した積層方向AlN極性反転技術を開発し、深紫外から近赤外波長で動作する波長変換デバイスを検討してきた。本発表では、電子線回折による極性反転構造の観察について報告する。