[8a-Z24-1~9] 11.5 接合，回路作製プロセスおよびデジタル応用

[8a-Z24-2] PE-CVDプロセスがSISミキサ集積回路に及ぼす影響

〇江崎 翔平¹、単 文磊¹、宮地 晃平¹、小嶋 崇文¹、鵜澤 佳徳¹ (1.国立天文台)

キーワード：SISミキサ, 超伝導集積回路, プラズマ励起化学気相成膜

国立天文台では電波望遠鏡用マルチビームヘテロダイン受信機開発のための超伝導－絶縁体－超伝導 (SIS)ミキサ集積回路作製を開始した. 絶縁膜成膜のためのPE-CVDの導入によりSISミキサ集積回路の歩留まりが向上した. 一方で, 特定の成膜条件下においてPE-CVDプロセス導入により直列に3つ接続されたSIS接合のうち1つのSIS接合が破壊される問題が発生した. 本講演ではPE-CVDの成膜条件とPE-CVDプロセスがSIS接合に及ぼす影響について報告する.