[8a-Z27-1~9] 11.3 臨界電流，超伝導パワー応用

[8a-Z27-5] 3D-TDGLシミュレーションによる表面ラフネスがJ_cの非対称性に与える影響

〇一野 祐亮¹、張 雪原²、土屋 雄司²、吉田 隆² (1.愛工大、2.名大工)

キーワード：超伝導体, Jc非対称性, シミュレーション

3D-TDGLシミュレーションコードを開発し、ナノロッドによる磁束量子の運動や縦磁場下における磁束量子の運動について検討を行ってきた。最近、縦磁場配置で磁場を印加したREBa₂Cu₃O_y (REBCO)薄膜において、電流方向に対する臨界電流密度(J_c)の非対称性が実験的に確認され、これを用いた超伝導ダイオードの検討を行っている。本研究では、REBCO薄膜におけるJ_c非対称性の発現機構の解明とより大きな非対称性の実現を目的として、3D-TDGLを用いて試料表面形状やピンニングセンターがJ_c非対称性に与える影響について検討した。