[8a-Z27-1~9] 11.3 Critical Current, Superconducting Power Applications

[8a-Z27-4] Asymmetric critical currents of superconducting films due to the inhomogeneous London penetration depth

〇Yasunori Mawatari¹, Yuji Tsuchiya² (1.AIST, 2.Nagoya Univ.)

Keywords:superconducting film, critical current, penetration depth

超伝導薄膜に流す電流の方向を反転させたときに臨界電流が異なる例が報告されているが，そのような非対称な臨界電流特性の機構の可能性として，超伝導層の基板界面と薄膜表面とで超伝導特性や表面粗さが異なる空間的非対称性の影響が検討されている．本研究では，超伝導特性や表面粗さの不均一性を磁場侵入長の空間的不均一性としてモデル化し，平行磁場中の超伝導薄膜における表面バリアによる臨界電流について理論的考察を行った．膜面に平行な量子化磁束線の分布と安定性について London model により考察し，磁場侵入長の不均一性により，平行磁場中の超伝導薄膜における臨界電流にどのように非対称性が現れるか明らかにした．