[8p-Z25-1~13] 【CS.1】 2.4 加速器質量分析・加速器ビーム分析 と 7.5 イオンビーム一般のコードシェアセッション

[8p-Z25-4] 高速イオン照射によるSiO₂の密度変化

〇前田 桃郷¹、高廣 克己¹、西山 文隆² (1.京都工繊大、2.広島大)

キーワード：イオンビーム, Silica

SiO­₂に数MeVのエネルギーをもつ高速のイオンを照射すると、表面に凹凸が形成される。これは密度の変化に伴うものであり、特に非晶質のSiO₂の場合、イオン照射によって密度が増加する。本講演では、このイオン照射によって起こるSiO₂の表面変化について、密度変化にともなうマクロな表面形状変化と、原子レベルでのミクロな結合状態の変化の関連を報告する。