[8p-Z25-1~13] 【CS.1】 Code-sharing Session of 2.4 & 7.5

△ [8p-Z25-5] Formation of Si surface structure by fast C₆₀ ion beam irradiation

〇Naoto Oishi¹, Yoshiki Murao¹, Noriko Nitta¹, Hidetsugu Tsuchida², Shigeo Tomita³, Kimikazu Sasa³, Koichi Hirata⁴, Hiromi Shibata⁵, Yoshimi Hirano⁶, Keisuke Yamada⁶, Atsuya Chiba⁶, Yuichi Saitoh⁶, Kazumasa Narumi⁶, Yasushi Hoshino⁷ (1.Kochi Univ. Tech., 2.Kyoto Univ., 3.Univ. Tsukuba, 4.AIST, 5.Osaka Univ., 6.QST, 7.Kanagawa Univ.)

Keywords:cluster ion beam, semiconductor, Silicon

入射角度を付けた単原子イオンビーム照射によって、Si表面にリップル構造がスパッタリングによって形成することが報告されている。本研究では、単原子イオンビームより高効率にスパッタリングが引き起こされるクラスターイオンビームを用いて、Si表面に形成される構造を調べる。Si表面の微細な構造は、トランジスタや量子ドット、フォトニック結晶への応用が期待される。クラスターイオンビーム照射による高効率構造形成を目指し、照射条件ごとに形成される構造の形態及びその形成メカニズムを検討する。加えて、形成される構造と照射条件との関係性を調べるために、機械学習を用いて条件の分類を試みる。