[8p-Z25-1~13] 【CS.1】 Code-sharing Session of 2.4 & 7.5

[8p-Z25-4] Fast ion beam induced density changes of SiO₂

〇Togo Maeda¹, Katsumi Takahiro¹, Humitaka Nishiyama² (1.Kyoto Inst. Tech., 2.Hiroshima Univ.)

Keywords:Ion beam, Silica

SiO­₂に数MeVのエネルギーをもつ高速のイオンを照射すると、表面に凹凸が形成される。これは密度の変化に伴うものであり、特に非晶質のSiO₂の場合、イオン照射によって密度が増加する。本講演では、このイオン照射によって起こるSiO₂の表面変化について、密度変化にともなうマクロな表面形状変化と、原子レベルでのミクロな結合状態の変化の関連を報告する。