2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[9a-Z10-1~11] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

2020年9月9日(水) 08:30 〜 11:30 Z10

呉 研(日大)

10:15 〜 10:30

[9a-Z10-7] 表面形状処理のためのミニマルレーザ水素アニール装置の開発

佐藤 和重1,4、千葉 貴史1,4、寺田 昌男1,4、濱田 健吾1,4、中山 吉之3、金森 義明3、田中 宏幸2、加瀬 雅2、クンプアン ソマワン1,2、原 史朗1,2 (1.ミニマルファブ推進機構、2.産総研、3.東北大、4.坂口電熱)

キーワード:ミニマルファブ, レーザ加熱

表面形状処理のため、高速昇降温が可能なレーザ加熱を使ったミニマルレーザ水素アニール装置を開発中で、その試作機が完成し基本特性を確認したので報告する。