[9a-Z11-1~13] 12.4 有機EL・トランジスタ

△ [9a-Z11-8] アンチ・アンバイポーラトランジスタの開発 Ⅱ-高性能化を目指した材料探索-

〇渕井 康太^1,2、早川 竜馬¹、小橋 和義^1,3、山田 洋一²、若山 裕^1,3 (1.物材機構、2.筑波大数理、3.九大院工)

キーワード：アンチ・アンバイポーラトランジスタ, 高性能化, 表面・界面制御

IoT社会の実現に向け柔軟性と計算機能を両立する情報処理端末が求められている。これに対し我々は室温で負性抵抗を示す特殊な有機トランジスタ(AAT)を開発し、多値論理回路へ応用できることを実証した。本講演では、AATの高性能化へ向け1）電荷注入層、2）高誘電率ゲート絶縁膜、3）高移動度半導体材料について検討したので報告する。また、AATの高性能化が多値論理回路の出力特性に与える影響についても併せて検討した。