[9a-Z13-1~9] 3.13 半導体光デバイス

[9a-Z13-4] 1550nm帯InAs量子ドットと量子ドット組成混晶化領域によるモノリシック集積レーザ

〇(M1)金子 瑠那¹、伊澤 昌平¹、森田 凌介¹、松本 敦²、赤羽 浩一²、松島 裕一¹、石川 浩¹、宇高 勝之¹ (1.早大理工、2.情報通信研究機構)

キーワード：量子ドットレーザ, 組成混晶, モノリシック集積

量子ドット (QD) の集積化にあたって，イオン注入による組成混晶 (QDI) を用いた電界吸収 (EA) 変調器を検討しており，今回は QD-QDI 集積レーザの室温連続発振に成功した．