[9p-Z20-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-Z20-16] 水素雰囲気異方性熱エッチング(HEATE)法によるHVPE-In₂O₃成長層のエッチング特性の熱力学的検討

〇富樫 理恵¹、笠羽 遼¹、大江 優輝¹、後藤 健²、熊谷 義直²、菊池 昭彦¹ (1.上智大理工、2.東京農工大院)

キーワード：酸化インジウム, 熱力学解析, HVPE

これまで、水素雰囲気異方性熱エッチング（HEATE）法をハライド気相成長(HVPE)成長で得られたc-In₂O₃薄膜へ適応しその基本的なエッチング特性について報告している。今回、HEATE法によるHVPE-In₂O₃成長層のエッチング特性について、熱力学解析を用い、他の酸化物半導体結晶であるGa₂O₃, Al₂O₃も加え詳細に比較・検討したので報告する。