12:00 〜 12:15 [13a-D419-12] 大気中VB法成長直径2インチβ-Ga₂O₃単結晶の半導体特性 〇(M1)高部 守1、小林 壮1、太子 敏則1、干川 圭吾1,2、大葉 悦子2、小林 拓実2 (1.信州大工、2.不二越機械工業)