17:45 〜 18:00 △ [14p-B401-16] 選択再成長高濃度ボロンドープ層の導入によるALD-Al2O3ダイヤモンドMOSFETsの接触抵抗低減;ドレイン電流密度 | IDS | > 1 A/mm 〇(B)鈴木 優紀子1、今西 祥一朗1、久樂 顕1、堀川 清貴1、天野 勝太郎1、岩瀧 雅幸1、森下 葵1、平岩 篤1、川原田 洋1,2 (1.早大理工、2.早大材研)