[12a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[12a-D419-6] 水素化InGaZnOxによる高移動度薄膜トランジスタの低温作製-2
～成膜時の酸素及び水素のTFT特性・信頼性影響～

〇(M2)濱田 秀平¹、是友 大地¹、曲 勇作¹、古田 守¹ (1.高知工大)

キーワード：薄膜トランジスタ、酸化物半導体、低温プロセス

フレキシブルデバイスでは用いられる基板の耐熱性から低温での薄膜トランジスタ(TFT)作製が求められる。我々は、スパッタ成膜時にAr、O2ガスに加えH2ガスを用いた水素化InGaZnOx(IGZO:H)により作製温度150℃以下でのTFT動作を報告している[1]。本研究では更なる高移動度化を目的に、In組成比を増加させた水素化IGZO（high-In IGZO:H）を用いて150℃以下でのTFT作製を行った。またスパッタ雰囲気における酸素流量比（RO2）および水素流量比（RH2）がTFT特性ならびに信頼性に及ぼす影響を検討した。