[12a-D419-1~12] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [12a-D419-9] NBS及びPBSによるアモルファスCarbon-doped In₂O₃ TFTの信頼性評価

〇小林 陸^1,2、生田目 俊秀²、栗島 一徳^1,2,3、女屋 崇^1,2,4、大井 暁彦²、池田 直樹²、長田 貴弘²、塚越 一仁²、小椋 厚志¹ (1.明治大理工、2.物材機構、3.学振特別研究員PD、4.学振特別研究員DC)

キーワード：酸化物薄膜トランジスタ

これまでに、我々はALD法で、成長温度を制御することで炭素ドープし、酸素欠損を抑制したアモルファスなIn₂O₃膜(carbon-doped In₂O₃)を作製でき、それをチャネルに用いたTFTで、ノーマリオフが可能な正のV_onを示すトランジスタ特性を報告した。しかし、ALD法によるIn₂O₃ TFTのNBS及びPBSにおける信頼性特性の報告例は少ない。本研究では、ALD法で作製したcarbon-doped In₂O₃膜をチャネル材料としたTFTを作製して、NBS及びPBSでのトランジスタ特性について調べた結果を報告する。