[12p-A205-1~15] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[12p-A205-14] プラズマ誘起欠陥の発生と修復 ～Arイオン照射の効果～

〇布村 正太¹、中根 一也²、堤 隆嘉²、松原 浩司¹、堀 勝² (1.産総研、2.名大)

キーワード：プラズマ誘起欠陥、イオンボンバードメント、シリコン

半導体デバイスの作製に用いるプラズマプロセスにおいて、プラズマからのイオン衝撃によってデバイス内に欠陥が生じることが知られている。これらの欠陥は、デバイスの性能劣化や信頼性低下を招くため、欠陥発生の抑止、もしくは、欠陥の修復が必要不可欠である。これまで、イオン由来の結晶シリコン(c-Si)内の欠陥は数多く報告されているが、薄膜や積層を有する場合の薄膜/c-Si界面の欠陥に関する報告例は少ない。今回、太陽電池用の水素化アモルファスシリコン(a-Si:H)を用いたパッシベーション膜付 c-Siウエハにアルゴン(Ar)イオンを照射し、a-Si:H/ c-Si界面近傍の欠陥の発生と修復を調査したので報告する。