[12p-B401-1~16] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[12p-B401-12] N極性GaN HEMT構造におけるコンタクト抵抗の低減

〇(M1)毛利 匡裕¹、早坂 明泰¹、眞壁 勇夫²、吉田 成輝²、後藤 高寛¹、宮本 恭幸¹ (1.東工大工、2.住友電気工業)

キーワード：半導体、N極性GaN HEMT、コンタクト抵抗

電子供給層を介さずに二次元電子ガス層へコンタクトをとれることから、更なる高性能化が期待できる構造としてN極性GaN HEMTがある。しかしながら我々はN極性GaN HEMTにおいてコンタクト抵抗の低減の為にはアニール温度制御が難しいことを報告した。本報告では、N極性GaN HEMT構造におけるコンタクト抵抗の低減のためにSiイオン注入と併用した場合のコンタクト抵抗のアニール温度依存性を示す。