[12p-B401-1~16] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[12p-B401-13] Two-dimensional characterization of Schottky contacts on nitride HEMTs by scanning internal photoemission microscopy

〇Masahiro Uchida^1,2, Yuto Kawasumi², Kazumi Nishimura¹, Kenji Shiojima² (1.NTT-AT, 2.Univ. of Fukui)

Keywords:Nitride semiconductor, HEMT, SIPM

SiC基板上に成長したAlGaN/GaN HEMT構造のエピタキシャルウェハにAu/Niショットキー電極を形成し、電極が形成された領域で界面顕微光応答法(SIPM)による測定を行ってショットキー障壁高さの2次元分布を得た。分布はエピ結晶成長時の異常成長を反映している可能性があり、エピ結晶の評価方法としても有効である。