[12p-B401-1~16] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[12p-B401-12] Reduction of Contact Resistance for N-polar GaN HEMT fabrication process by using ion implantation

〇(M1)Masahiro Mori¹, Akihiro Hayasaka¹, Isao Makabe², Shigeki Yoshida², Takahiro Gotow¹, Yasuyuki Miyamoto¹ (1.Tokyo Tech, 2.Sumitomo Electric Industries, Ltd)

Keywords:semiconductor, N-polar GaN HEMT, contact resistance

電子供給層を介さずに二次元電子ガス層へコンタクトをとれることから、更なる高性能化が期待できる構造としてN極性GaN HEMTがある。しかしながら我々はN極性GaN HEMTにおいてコンタクト抵抗の低減の為にはアニール温度制御が難しいことを報告した。本報告では、N極性GaN HEMT構造におけるコンタクト抵抗の低減のためにSiイオン注入と併用した場合のコンタクト抵抗のアニール温度依存性を示す。