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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[12p-D215-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2020年3月12日(木) 14:00 〜 17:30 D215 (11-215)

海津利行(神戸大)、舘林潤(阪大)、中尾亮(NTT)

14:30 〜 14:45

[12p-D215-3] 基板オフ角依存GaN中C濃度のステップ端偏析モデルに基づく解釈

〇望月和浩¹、堀切文正²、太田博¹、三島友義¹ (1.法政大、2.サイオクス)

キーワード：半導体、不純物、偏析