[13a-B401-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[13a-B401-1] 成膜後熱処理による原子層堆積Al₂O₃/GaNキャパシタのバイアス安定性向上

堀川 清孝¹、川原田 洋^1,2,3、〇平岩 篤^2,4 (1.早大理工、2.早大ﾅﾉ･ﾗｲﾌ、3.早大材研、4.名大未来研)

キーワード：バイアス安定性、Al2O3、成膜後アニール

原子層堆積法により形成したAl₂O₃膜を用いたGaNキャパシタは、Al₂O₃膜を高温（450ºC）にて形成し成膜後アニールをより高温にて行なうと、ブリスター（膜の微細な剥離）が発生することもなくバイアス安定性が大きく向上する。しかし、800ºC以上のアニールによりAl₂O₃膜が結晶化すると絶縁破壊寿命が低下する。このため、450ºC にてAl₂O₃膜を形成しその後700ºCにてアニールを行ったものが最も信頼性が高い。