[13a-B401-1~10] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

△ [13a-B401-2] DLTS法によるAl₂O₃/n型GaN MOS界面準位の評価

〇青島 慶人¹、堀田 昌宏^1,2、須田 淳^1,2、橋詰 保³ (1.名大院工、2.名大未来研、3.北大量エレ研)

キーワード：MOSダイオード、窒化ガリウム、界面準位

高性能GaN MOSデバイス実現のためにはGaN MOS界面の理解とその制御が重要である。MOS界面準位密度の評価手法の一つとしてDLTS法がある。DLTS法を用いることにより、ターマン法やコンダクタンス法などでは測定することができない、伝導帯下端近傍の浅い界面準位も評価可能である。本研究では、ALD法により作製したAl₂O₃/n型GaN MOSダイオードに対してDLTS測定を行い、界面準位密度の評価を行い、さらに、Post-Metallization Annealing (PMA)処理の有無による界面準位密度の変化を調べたので報告する。