[13a-B401-1~10] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

△ [13a-B401-3] Influence of SiO₂ and HfO₂ initial growth layer on electrical properties

〇(M1)Erika Maeda^1,2, Toshihide Nabatame², Masafumi Hirose^1,2, Mari Inoue², Akihiko Ohi², Naoki Ikeda², Koji Shiozaki³, Hajime Kiyono¹ (1.SIT, 2.NIMS, 3.NU)

Keywords:GaNpowerdevice, GaN/HfSiOx stack structure, Plasma-Enhanced ALD

GaN/ゲート絶縁膜の界面がデバイス特性へ大きな影響を及ぼすことが知られている。我々はALD法で、GaN基板からHfO初期成長層そしてSiO層の順で成膜したHfO/SiOラミネート膜から熱処理でHfSiO_x膜を作製し、アモルファス構造、小さなV_fbヒステリシス(+50 mV)及び高耐圧(E_bd= 8.7 MV/cm)特性を報告した。しかし、GaN基板へのSiO初期成長層からなるHfSiO_x膜における電気特性についてまったく調べられていなかった。本研究では、n-GaN基板へSiO初期成長層を1及び2モノレイヤー成膜した後にHfSiO_x膜を形成したn-GaN/HfSiO_x/Pt MOSキャパシタを作製して、HfO及びSiO初期成長層が電気特性へ及ぼす影響を調べた。