[13p-A302-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[13p-A302-1] [講演奨励賞受賞記念講演] らせん転位とMg不純物との複合体を含むGaNの第一原理電子構造解析

〇中野 崇志¹、原嶋 庸介²、長川 健太²、洗平 昌晃^2,1、白石 賢二^2,1、押山 淳²、草場 彰³、寒川 義裕^4,2、田中 敦之²、本田 善央^2,1、天野 浩^2,1 (1.名大院工、2.名大未来研、3.学習院大計算機センター、4.九大応力研)

キーワード：窒化ガリウム、転位、電子構造

GaNを用いた次世代のパワーデバイスの実現に向け、逆方向リーク電流の発生が大きな課題となっている。我々は第一原理計算を用いることで、リーク電流への寄与が疑われるMg不純物とらせん転位との複合体における電子構造を解析した。その結果、Mg不純物はらせん転位の近傍に凝集し、Mgとらせん転位との複合体が形成されること、Mgとらせん転位との複合体はn型の振る舞いをすることが示され、リーク電流の原因になることが導かれた。