[13p-A305-1~13] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[13p-A305-11] (001)GOI薄膜化によるnMOSFETの電子移動度向上機構に関する考察

〇高木 信一¹、曺 光元¹、林 澈敏¹、トープラサートポン カシディット¹、竹中 充¹ (1.東大院工)

キーワード：半導体

(001)面GOI nMOSFETは、GOI膜厚の薄膜化によりnMOSFETの電子移動度が向上することが報告されているが、その機構は明らかでない。本研究では、各バレーの有効質量と散乱機構の観点から、移動度向上の起源を考察した結果、(001)GOI薄膜化に伴う電子移動度向上は、m_zが軽く膜厚揺らぎ散乱の影響が大きいLバレーから、その影響が小さいΔ₂バレーに電子が遷移する事で引き起されていることを示す。