[13p-A305-1~13] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

△ [13p-A305-12] Surface orientation dependence of Ge channel flattening process on Ge nMOSFETs

〇Hiroto Ishii^1,2, Wen Hsin Chang¹, Toshifumi Irisawa¹, Wataru Mizubayashi¹, Hiroyuki Ishii¹, Tatsuro Maeda^1,2 (1.AIST, 2.TUS)

Keywords:Germanium, Surface Orientation, MOSFETs

近年、Ge MOSFETsはnanowire/nanosheet構造などチャネルの三次元化が進行しており、このような3次元チャネル構造は、多様な面方位で構成されることから、面方位を考慮した3次元チャネル構造の設計が求められる。本研究では、面方位が異なるGe基板に10回以上のデジタルエッチング(DDE)を行うという表面平坦化プロセスを施したゲートスタック構造を作製し、平坦化によるデバイス性能の面方位依存性をGe nMOSFETsにて検証したので報告する。