[13p-A307-1~7] 【一般公開】ポストムーア時代を切り拓くアーキテクチャと革新デバイス／システム

[13p-A307-3] 三次元積層構造を活かしたイメージセンサの進化

〇岩元 勇人¹ (1.ソニーセミコンダクタソリューションズ)

キーワード：半導体、イメージセンサ

近年、半導体イメージセンサの小型化が急速に進められている。ソニーでは、微細化したセンサ画素の画質向上策として、2008年に裏面照射型CMOSイメージセンサの量産を開始した。その後、製品の多様化の要求に応え、裏面照射型CMOSイメージセンサをさらに高機能化、高性能化した積層型CMOSイメージセンサの量産を2012年から開始した。裏面照射型CMOSイメージセンサを実現した要素技術としては酸化膜接合、積層型CMOSイメージセンサを実現した要素技術としてはTSV接続やCu-Cu接続が挙げられる。特に、Cu-Cu接続は高密度な三次元集積を可能にする技術であり、今後の半導体イメージセンサへの応用展開が期待されている。