[13p-D419-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[13p-D419-16] 最大発振周波数 27 GHzを有するGa₂O₃ MOSFET

〇上村 崇史¹、中田 義昭¹、東脇 正高¹ (1.情通機構)

キーワード：酸化ガリウム、高周波FET

Ga₂O₃は、非常に大きな絶縁破壊電界と比較的高い飽和電子速度を有すると理論的に予測されている。そのため、Ga₂O₃ FETは高耐圧スイッチング素子のみならず、高周波素子への応用も期待される。本研究では、高周波FETにおいて用いられるサブμmゲートスケーリングで生じる短チャネル効果を抑制するために、浅く、高濃度のSiイオン注入チャネルドーピングを行い、ゲート長/チャネル層厚のアスペクト比を高く保ったGa₂O₃ MOSFETを作製し、そのDC, RFデバイス特性を評価した。その結果、Ga₂O₃ FETとして最大発振周波数 (f_max) の最高値を記録することに成功した。