[14a-A401-1~5] 機能性酸化物のメモリデバイス応用とその物理解明に向けて

[14a-A401-1] 強誘電体ゲート酸化物チャネル薄膜トランジスタとメモリ応用

〇徳光 永輔¹ (1.北陸先端大)

キーワード：強誘電体、メモリ、トランジスタ

強誘電体ゲートトランジスタは、非破壊読み出しが可能でスケーリングに適した不揮発性メモリ素子として研究されてきた。近年では、強誘電体の“負性容量“を用いたスティープスロープトランジスタの提案とHfO₂系での強誘電性発見により再び脚光を浴びている。本講演では、歴史的背景と動作原理を解説した後、筆者らが行ってきた酸化物チャネル強誘電体ゲートトランジスタに関する研究について紹介する。