[14a-A409-1~7] 12.4 有機EL・トランジスタ

[14a-A409-4] ラミネーションコンタクト電極を用いた相転移型トランジスタの作製および動作解析

〇(B)武田 陸¹、佐野 照輝¹、酒井 正俊¹、岡田 悠悟²、桝 飛雄真³、工藤 一浩¹ (1.千葉大院工、2.千葉大先進、3.千葉大共用機器セ)

キーワード：強相関、電荷秩序、トランジスタ

本研究ではラミネーションコンタクト電極を用いたalpha-(BEDT-TTF)₂I₃単結晶FETを作製し、金属-絶縁体相転移温度近傍でのFET特性を測定した。4端子FET特性とその温度依存性から、相転移型FETの特徴を確認した。また、FET特性を説明するモデルとして、パーコレーションモデルに基づいて金属または絶縁サイトをランダムに分布させたチャネルの合成抵抗を計算した。金属サイトと絶縁サイトの分布の割合を変化させることによって相転移型FETの挙動を再現した。