[14a-A410-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14a-A410-10] イオン注入もしくはエピによりp層形成した4H-SiC PiN構造における深い準位の評価

〇深谷 周平¹、米澤 喜幸²、加藤 智久²、加藤 正史¹ (1.名工大、2.産総研)

キーワード：パワーデバイス、4H-SiC

4H-SiC PiNダイオードのアノードプロセスとしてp層へのイオン注入が用いられているが、イオン注入範囲よりも深い領域で生成されている10¹³ cm^-3以下の濃度範囲の欠陥の分布は詳しく分かっていない。そこで本研究では、高濃度p++イオン注入の影響を観測することを目的として、4H-SiC PiNダイオードの試料を用意し、DLTS法により深い準位の評価を試みた。