[14a-A410-1~10] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[14a-A410-6] 第一原理計算によるSiC表面のステップモロフォジーの検討

〇制野 かおり^1,2、押山 淳¹ (1.名大未来研、2.クロスアビリティ)

キーワード：SiC、第一原理計算、表面ステップ

SiCのエピタキシャル成長で一般に用いられる面である(0001)Si面ではオフ方向に依存して表面のステップモフォロジーが異なる。実空間法を用いた第一原理計算に基づくエネルギー論からステップモフォロジーの違いを説明する。計算の結果は実験で観察されているSiC表面のステップモフォロジーを説明できるものであり、結晶成長の理解において重要な役割を果たすステップの微視的な構造も明らかにした。