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[14a-A410-8] 4H-SiC極性面の表面再結合速度の注入フォトン数依存性
キーワード:4H-SiC、表面再結合速度、注入フォトン数依存性
キャリアライフタイム𝜏の値はSiCバイポーラデバイスにおいて、デバイス性能を左右する重要なパラメータである。また、𝜏の制限因子の中には表面再結合が存在しており、定量的な値を得ることがデバイス設計に不可欠である。本研究では、μ-PCD法とTRFCA法により、4H-SiCの極性面における表面再結合速度Sの注入フォトン数依存性の解析を行った。