[14a-B401-1~11] 13.7 化合物及びパワー電子デバイス・プロセス技術

[14a-B401-5] GaN中への窒素によるMgのリコイルインプランテーションの試み(5)

〇山田 寿一¹、山田 永¹、高橋 言緒²、清水 三聡¹ (1.産総研GaN-OIL、2.産総研電子光)

キーワード：ワイドギャップ半導体、GaN、リコイルインプランテーション

GaNにおいて、ダメージ吸収とMg供給の２つの役割を持つ層を、バルク層上に積層した上で、そこに窒素原子を注入し、はじき出されたMgがGaNバルク層に入って、イオン注入衝撃を低減したまま、p-GaN層を形成させる事を試している(リコイルインプラテーション)。今回は、比較のためエピ成長させたp-GaNの熱アニールプロセスを評価した。その結果、凝集Mg（極性反転）が全く移動せず、P層の膜厚が有意に増加しているなど、同プロセスが単純でない事が示唆された。