[14a-D419-1~12] 6.1 強誘電体薄膜

[14a-D419-1] 成長時の酸素分圧がHfO₂:Y/Si薄膜の結晶構造や誘電特性に及ぼす影響

〇佐保 勇樹¹、高田 賢志¹、吉村 武¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大工)

キーワード：強誘電体、HfO2、誘電特性

強誘電体材料の中でもHfO₂系強誘電体は、ドーピングや膜厚の効果に加え適量の酸素欠損を導入し直方晶相を安定化させることによって10 nm以下の極薄膜においても強誘電性を示し[1]、CMOSプロセスとの適合性も高く注目を集めている。しかし、多結晶膜成長による素子間の特性分布や、HfO₂/Si界面での界面層の形成によって生じる閾値電圧の増加などの問題が顕在化している[2]。そのため、Si直上に直方晶のHfO₂をエピタキシャル成長させる技術は重要である。本講演では、成長時の酸素分圧がHfO₂:Y/Si薄膜の結晶構造や誘電特性におよぼす影響について検討した。